Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Integrirana vezja (ICS) > Spomin > TC58NYG0S3HBAI6
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2334808TC58NYG0S3HBAI6 image.Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG0S3HBAI6

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$3.21
10+
$2.885
25+
$2.84
50+
$2.832
100+
$2.53
338+
$2.448
676+
$2.439
1014+
$2.272
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    TC58NYG0S3HBAI6
  • Proizvajalec / znamka
    Kioxia America, Inc.
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • ECAD model
  • Čas cikla pisanja -
    25ns
  • Napetost - oskrba
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnologija
    FLASH - NAND (SLC)
  • Paket naprave za dobavitelja
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Serija
    -
  • Pakiranje
    Tray
  • Paket / primer
    67-VFBGA
  • Druga imena
    TC58NYG0S3HBAI6JAH
    TC58NYG0S3HBAI6JDH
  • delovna temperatura
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Vrsta pomnilnika
    Non-Volatile
  • Velikost pomnilnika
    1Gb (128M x 8)
  • Pomnilniški vmesnik
    Parallel
  • Format pomnilnika
    FLASH
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • natančen opis
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Čas dostopa
    25ns

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "TC58NYG0S3HBAI6".
TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58NVG3S0FTA00

TC58NVG3S0FTA00

Opis: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58NVG2S0HTA00

TC58NVG2S0HTA00

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58NVG2S0HTAI0

TC58NVG2S0HTAI0

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58NVG1S3HBAI6

TC58NVG1S3HBAI6

Opis: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC59

TC59

Opis: CAP ALUM 50UF 250V AXIAL

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
TC594

TC594

Opis: CAP ALUM 200UF 300V AXIAL

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4

Opis: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC593

TC593

Opis: CAP ALUM 150UF 300V AXIAL

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
TC58NVG1S3HTA00

TC58NVG1S3HTA00

Opis: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC59000001

TC59000001

Opis: OSC MEMS 59MHZ 3.3V SMD

Proizvajalci: TXC Corporation
Na zalogi
RFQ
TC58NVG2S0HBAI4

TC58NVG2S0HBAI4

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58NVG2S0HBAI6

TC58NVG2S0HBAI6

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58NVG1S3HBAI4

TC58NVG1S3HBAI4

Opis: IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58NVG2S0FTA00

TC58NVG2S0FTA00

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58NYG1S3HBAI6

TC58NYG1S3HBAI6

Opis: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC593002ECBTR

TC593002ECBTR

Opis: IC REG LINEAR -3V 80MA SOT23-3

Proizvajalci: Micrel / Microchip Technology
Na zalogi
RFQ
TC595002ECBTR

TC595002ECBTR

Opis: IC REG LINEAR -5V 100MA SOT23-3

Proizvajalci: Micrel / Microchip Technology
Na zalogi
RFQ
TC58NVG1S3HTAI0

TC58NVG1S3HTAI0

Opis: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4

Opis: 2G NAND SLC 24NM BGA

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.