Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Integrirana vezja (ICS) > Spomin > TC58BYG1S3HBAI6
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
914723TC58BYG1S3HBAI6 image.Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI6

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$3.95
10+
$3.58
25+
$3.502
50+
$3.483
100+
$3.124
338+
$3.112
676+
$2.997
1014+
$2.85
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    TC58BYG1S3HBAI6
  • Proizvajalec / znamka
    Kioxia America, Inc.
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    TC58BYG1S3HBAI6.pdf
  • Čas cikla pisanja -
    25ns
  • Napetost - oskrba
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnologija
    FLASH - NAND (SLC)
  • Paket naprave za dobavitelja
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Serija
    Benand™
  • Pakiranje
    Tray
  • Paket / primer
    67-VFBGA
  • Druga imena
    TC58BYG1S3HBAI6JDH
    TC58BYG1S3HBAI6YCL
  • delovna temperatura
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Vrsta pomnilnika
    Non-Volatile
  • Velikost pomnilnika
    2Gb (256M x 8)
  • Pomnilniški vmesnik
    Parallel
  • Format pomnilnika
    FLASH
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • natančen opis
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Čas dostopa
    25ns

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "TC58BYG1S3HBAI6".
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Opis: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

Opis: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Opis: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Opis: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Opis: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Opis: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Opis: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Opis: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

Opis: 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

Opis: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

Opis: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Opis: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Opis: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Opis: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Opis: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

Opis: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Proizvajalci: Toshiba Memory America, Inc.
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.