Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > RS1DLHRUG
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
2478129RS1DLHRUG image.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLHRUG

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
21600+
$0.049
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    RS1DLHRUG
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1.3V @ 800mA
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    200V
  • Paket naprave za dobavitelja
    Sub SMA
  • Hitrost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serija
    Automotive, AEC-Q101
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    150ns
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    DO-219AB
  • Delovna temperatura - spoj
    -55°C ~ 150°C
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    21 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    5µA @ 200V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    800mA
  • Capacitance @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RS1DL RVG

RS1DL RVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RS1DLHMHG

RS1DLHMHG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RS1DLHM2G

RS1DLHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RS1DTR

RS1DTR

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Proizvajalci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na zalogi
RS1DLHMQG

RS1DLHMQG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod