Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > H7N1002LS-E
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5452445H7N1002LS-E image.Renesas Electronics America

H7N1002LS-E

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    H7N1002LS-E
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V LDPAK
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    4-LDPAK
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 37.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    100W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    SC-83
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    9700pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    155nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    100V
  • natančen opis
    N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    75A (Ta)
IXFN50N80Q2

IXFN50N80Q2

Opis: MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B

Proizvajalci: IXYS Corporation
Na zalogi
SIHG14N50D-E3

SIHG14N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
IRL7833STRLPBF

IRL7833STRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
XR46000ESETR

XR46000ESETR

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223

Proizvajalci: Exar Corporation
Na zalogi
IRL3715STRL

IRL3715STRL

Opis: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
FQI13N50CTU

FQI13N50CTU

Opis: MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
SI4626ADY-T1-GE3

SI4626ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
2N7002LT1G

2N7002LT1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFP40N10

RFP40N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
STP5NK50Z

STP5NK50Z

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220

Proizvajalci: STMicroelectronics
Na zalogi
H7N1002LSTL-E

H7N1002LSTL-E

Opis: MOSFET N-CH 100V LDPAK

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
STS7PF30L

STS7PF30L

Opis: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Proizvajalci: STMicroelectronics
Na zalogi
NP110N03PUG-E1-AY

NP110N03PUG-E1-AY

Opis: MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
IRF720STRL

IRF720STRL

Opis: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
IRF7495TR

IRF7495TR

Opis: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
SUD40N10-25-E3

SUD40N10-25-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Opis: MOSFET 100V 108A TO220AB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
IRF2204LPBF

IRF2204LPBF

Opis: MOSFET N-CH 40V 170A TO-262

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
FDB8860-F085

FDB8860-F085

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod