Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N5550
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3637800JAN1N5550 image.Microsemi

JAN1N5550

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$10.45
10+
$9.405
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N5550
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1.2V @ 9A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    200V
  • Hitrost
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    2µs
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    B, Axial
  • Druga imena
    1086-2096
    1086-2096-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    -65°C ~ 175°C
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    8 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 200V 3A Through Hole
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1µA @ 200V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    3A
  • Capacitance @ Vr, F
    -
JAN1N5550US

JAN1N5550US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5546C-1

JAN1N5546C-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5555

JAN1N5555

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5553

JAN1N5553

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5551

JAN1N5551

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5545D-1

JAN1N5545D-1

Opis: DIODE ZENER 30V 500MW DO35

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5552

JAN1N5552

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5545DUR-1

JAN1N5545DUR-1

Opis: DIODE ZENER 30V 500MW DO213AA

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5546B-1

JAN1N5546B-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5545CUR-1

JAN1N5545CUR-1

Opis: DIODE ZENER 30V 500MW DO213AA

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5546BUR-1

JAN1N5546BUR-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5554

JAN1N5554

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5545C-1

JAN1N5545C-1

Opis: DIODE ZENER 30V 500MW DO35

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod