Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N5417US
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
541267

JAN1N5417US

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
100+
$13.24
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N5417US
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
    JAN1N5417US.pdf
  • ECAD model
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1.5V @ 9A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    200V
  • Paket naprave za dobavitelja
    B, SQ-MELF
  • Hitrost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/411
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    150ns
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    SQ-MELF, B
  • Druga imena
    1086-2089
    1086-2089-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    -65°C ~ 175°C
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    8 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1µA @ 200V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    3A
  • Capacitance @ Vr, F
    -

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "JAN1N5417US".
JAN1N5314-1

JAN1N5314-1

Opis: DIODE CURRENT REG 100V

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5312UR-1

JAN1N5312UR-1

Opis: DIODE CURRENT REG 100V

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5416US

JAN1N5416US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5417

JAN1N5417

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5313UR-1

JAN1N5313UR-1

Opis: DIODE CURRENT REG 100V

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5420US

JAN1N5420US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5415

JAN1N5415

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5518B-1

JAN1N5518B-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5418

JAN1N5418

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5313-1

JAN1N5313-1

Opis: DIODE CURRENT REG 100V

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5518CUR-1

JAN1N5518CUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5416

JAN1N5416

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5415US

JAN1N5415US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5418US

JAN1N5418US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5420

JAN1N5420

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5314UR-1

JAN1N5314UR-1

Opis: DIODE CURRENT REG 100V

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5419

JAN1N5419

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5419US

JAN1N5419US

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5518BUR-1

JAN1N5518BUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N5518C-1

JAN1N5518C-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.