Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - Posamezni > APT45GR65B2DU30
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1016234

APT45GR65B2DU30

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
90+
$7.245
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT45GR65B2DU30
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 45A
  • Test Condition
    433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (vklop / izklop) @ 25 ° C
    15ns/100ns
  • Paket naprave za dobavitelja
    T-MAX™ [B2]
  • Serija
    -
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    80ns
  • Moč - maks
    543W
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    TO-247-3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    28 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vrsta vnosa
    Standard
  • Vrsta IGBT
    NPT
  • Gate Charge
    203nC
  • natančen opis
    IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Trenutni - impulzni kolektor (Icm)
    224A
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    118A
APT47F60J

APT47F60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT47M60J

APT47M60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT44F80L

APT44F80L

Opis: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT44GA60B

APT44GA60B

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GR65B

APT45GR65B

Opis: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Opis: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
APT44F80B2

APT44F80B2

Opis: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GP120J

APT45GP120J

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Opis: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Opis: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45M100J

APT45M100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod