Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > APT18M80B
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
3027367APT18M80B image.Microsemi

APT18M80B

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$10.06
30+
$8.248
120+
$7.443
510+
$6.236
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT18M80B
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-247 [B]
  • Serija
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    530 mOhm @ 9A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    500W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-247-3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    8 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    3760pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    120nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    800V
  • natančen opis
    N-Channel 800V 19A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    19A (Tc)
APT17F100S

APT17F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

Opis: IGBT 600V 283A 682W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT17N80BC3G

APT17N80BC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT18F60B

APT18F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT17F120J

APT17F120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT200GT60JR

APT200GT60JR

Opis: IGBT 600V 195A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT18M80S

APT18M80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT17F80B

APT17F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 18A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT19F100J

APT19F100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

Opis:

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
APT18F60S

APT18F60S

Opis: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT17F80S

APT17F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT2012CGCK

APT2012CGCK

Opis:

Proizvajalci: Kingbright
Na zalogi
APT18M100B

APT18M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT200GN60JG

APT200GN60JG

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT19M120J

APT19M120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT200GN60J

APT200GN60J

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod