Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > RW1E025RPT2CR
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2849358RW1E025RPT2CR image.LAPIS Semiconductor

RW1E025RPT2CR

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
8000+
$0.089
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    RW1E025RPT2CR
  • Proizvajalec / znamka
    LAPIS Technology
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    RW1E025RPT2CR.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    6-WEMT
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    700mW (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    SOT-563, SOT-666
  • Druga imena
    RW1E025RPT2CRTR
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    480pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.2nC @ 5V
  • Vrsta FET
    P-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    P-Channel 30V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Ta)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "RW1E025RPT2CR".
RW1S0BA1R00J

RW1S0BA1R00J

Opis: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Proizvajalci: Ohmite
Na zalogi
RFQ
RW1E015RPT2R

RW1E015RPT2R

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RW1A013ZPT2R

RW1A013ZPT2R

Opis: MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RW1A030APT2CR

RW1A030APT2CR

Opis: MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RW1S0BAR010F

RW1S0BAR010F

Opis: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Proizvajalci: Ohmite
Na zalogi
RFQ
RW1S0BA1R00JE

RW1S0BA1R00JE

Opis: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Proizvajalci: Ohmite
Na zalogi
RFQ
RW1C026ZPT2CR

RW1C026ZPT2CR

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RW1S0BAR005J

RW1S0BAR005J

Opis: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Proizvajalci: Ohmite
Na zalogi
RFQ
RW1A020ZPT2R

RW1A020ZPT2R

Opis: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RW1S0BAR010FE

RW1S0BAR010FE

Opis: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Proizvajalci: Ohmite
Na zalogi
RFQ
RW1S0BAR005JET

RW1S0BAR005JET

Opis: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Proizvajalci: Ohmite
Na zalogi
RFQ
RW1E014SNT2R

RW1E014SNT2R

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RW1S0BAR005JE

RW1S0BAR005JE

Opis: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Proizvajalci: Ohmite
Na zalogi
RFQ
RW1S0BA1R00JET

RW1S0BA1R00JET

Opis: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Proizvajalci: Ohmite
Na zalogi
RFQ
RW1C015UNT2R

RW1C015UNT2R

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RW1C020UNT2R

RW1C020UNT2R

Opis: MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RW1S0BAR010FET

RW1S0BAR010FET

Opis: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Proizvajalci: Ohmite
Na zalogi
RFQ
RW1S0BA1R00JT

RW1S0BA1R00JT

Opis: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Proizvajalci: Ohmite
Na zalogi
RFQ
RW1A025APT2CR

RW1A025APT2CR

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.