Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > RU1C001UNTCL
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1127940RU1C001UNTCL image.LAPIS Semiconductor

RU1C001UNTCL

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$0.066
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    RU1C001UNTCL
  • Proizvajalec / znamka
    LAPIS Technology
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    1.RU1C001UNTCL.pdf
    2.RU1C001UNTCL.pdf
    3.RU1C001UNTCL.pdf
    4.RU1C001UNTCL.pdf
    5.RU1C001UNTCL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    UMT3F
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    150mW (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    SC-85
  • Druga imena
    RU1C001UNTCL-ND
    RU1C001UNTCLTR
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    10 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    7.1pF @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    1.2V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    20V
  • natančen opis
    N-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

2024/11/25

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "RU1C001UNTCL".
RU1608JR100CS

RU1608JR100CS

Opis: RES 100M OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RU1608JR068CS

RU1608JR068CS

Opis: RES 0.068 OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
RU1608JR091CS

RU1608JR091CS

Opis: RES 91M OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
RU1608JR075CS

RU1608JR075CS

Opis: RES 75M OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
RU1608JR047CS

RU1608JR047CS

Opis: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
RU1608JR036CS

RU1608JR036CS

Opis: RES 36M OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
RU1608JR082CS

RU1608JR082CS

Opis: RES 82M OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
RU1608JR033CS

RU1608JR033CS

Opis: RES 33M OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
RU1608JR039CS

RU1608JR039CS

Opis: RES 39M OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
RU1608JR027CS

RU1608JR027CS

Opis: RES 27M OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
RU1608JR062CS

RU1608JR062CS

Opis: RES 62M OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
RU1C002UNTCL

RU1C002UNTCL

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RU1608JR030CS

RU1608JR030CS

Opis: RES 30M OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
RU1C001ZPTL

RU1C001ZPTL

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RU1608JR043CS

RU1608JR043CS

Opis: RES 43M OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
RU1608JR056CS

RU1608JR056CS

Opis: RES 56M OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
RU1E002SPTCL

RU1E002SPTCL

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RU1608JR051CS

RU1608JR051CS

Opis: RES 51M OHM 5% 1/4W 0603

Proizvajalci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.