Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > RS1G120MNTB
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3749755RS1G120MNTB image.LAPIS Semiconductor

RS1G120MNTB

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$0.57
10+
$0.483
100+
$0.363
500+
$0.266
1000+
$0.205
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    RS1G120MNTB
  • Proizvajalec / znamka
    LAPIS Technology
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    1.RS1G120MNTB.pdf
    2.RS1G120MNTB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-HSOP
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16.2 mOhm @ 12A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    3W (Ta), 25W (Tc)
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    8-PowerTDFN
  • Druga imena
    RS1G120MNTBCT
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    40 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    570pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.4nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    40V
  • natančen opis
    N-Channel 40V 12A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

2024/11/25

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "RS1G120MNTB".
RS1GB-13

RS1GB-13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

Opis: DIODE, FAST, 1A, 400V

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

Opis: DIODE

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
RS1GFA

RS1GFA

Opis: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

Opis: DIODE

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1G

RS1G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.