Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > RS1E300GNTB
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4120334RS1E300GNTB image.LAPIS Semiconductor

RS1E300GNTB

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
2500+
$0.457
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    RS1E300GNTB
  • Proizvajalec / znamka
    LAPIS Technology
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    RS1E300GNTB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-HSOP
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 mOhm @ 30A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    3W (Ta), 33W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    8-PowerTDFN
  • Druga imena
    RS1E300GNTBTR
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    2500pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    39.8nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    N-Channel 30V 30A (Ta) 3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    30A (Ta)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "RS1E300GNTB".
RS1G R3G

RS1G R3G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS1G

RS1G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.