Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > RQ3E100MNTB1
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1383842

RQ3E100MNTB1

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$0.483
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    RQ3E100MNTB1
  • Proizvajalec / znamka
    LAPIS Technology
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    RQ3E100MNTB1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-HSMT (3.2x3)
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.3 mOhm @ 10A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    2W (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    8-PowerVDFN
  • Druga imena
    RQ3E100MNTB1TR
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    520pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.9nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "RQ3E100MNTB1".
RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3C150BCTB

RQ3C150BCTB

Opis: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Opis: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

Opis: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.