Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > RJU003N03T106
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6062365RJU003N03T106 image.LAPIS Semiconductor

RJU003N03T106

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$0.083
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    RJU003N03T106
  • Proizvajalec / znamka
    LAPIS Technology
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    RJU003N03T106.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    UMT3
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.1 Ohm @ 300mA, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    200mW (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    SC-70, SOT-323
  • Druga imena
    RJU003N03T106TR
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    24pF @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    2.5V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "RJU003N03T106".
RJU4352SDPE-00#J3

RJU4352SDPE-00#J3

Opis: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU6052SDPE-00#J3

RJU6052SDPE-00#J3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU3051SDPE-00#J3

RJU3051SDPE-00#J3

Opis: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU60C2SDPD-E0#J2

RJU60C2SDPD-E0#J2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU6053WDPP-M0#T2

RJU6053WDPP-M0#T2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU4351TDPP-EJ#T2

RJU4351TDPP-EJ#T2

Opis: DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU4352SDPD-E0#J2

RJU4352SDPD-E0#J2

Opis: DIODE GEN PURP 430V 20A TO252

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU60C2TDPP-EJ#T2

RJU60C2TDPP-EJ#T2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU002N06T106

RJU002N06T106

Opis: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RJU4352TDPP-EJ#T2

RJU4352TDPP-EJ#T2

Opis: DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU6053SDPE-00#J3

RJU6053SDPE-00#J3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU6052TDPP-EJ#T2

RJU6052TDPP-EJ#T2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU6053TDPP-EJ#T2

RJU6053TDPP-EJ#T2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU6052SDPD-E0#J2

RJU6052SDPD-E0#J2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU3052SDPD-E0#J2

RJU3052SDPD-E0#J2

Opis: DIODE GEN PURP 360V 20A TO252

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU60C3SDPD-E0#J2

RJU60C3SDPD-E0#J2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU6054TDPP-EJ#T2

RJU6054TDPP-EJ#T2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU4351SDPE-00#J3

RJU4351SDPE-00#J3

Opis: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU6054SDPE-00#J3

RJU6054SDPE-00#J3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
RJU002N06FRAT106

RJU002N06FRAT106

Opis: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.