Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > IPB12CNE8N G
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5943503IPB12CNE8N G image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB12CNE8N G

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    IPB12CNE8N G
  • Proizvajalec / znamka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    IPB12CNE8N G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 83µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serija
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.9 mOhm @ 67A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    125W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Druga imena
    IPB12CNE8N G-ND
    IPB12CNE8NG
    SP000096451
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    4340pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    85V
  • natančen opis
    N-Channel 85V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    67A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "IPB12CNE8N G".
IPB120N06S4H1ATMA2

IPB120N06S4H1ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB156N22NFDATMA1

IPB156N22NFDATMA1

Opis: MOSFET N-CH 220V TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB13N03LB

IPB13N03LB

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB120N10S403ATMA1

IPB120N10S403ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB136N08N3 G

IPB136N08N3 G

Opis: MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB120P04P404ATMA1

IPB120P04P404ATMA1

Opis: MOSFET P-CH TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB14N03LAT

IPB14N03LAT

Opis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB13N03LB G

IPB13N03LB G

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB14N03LA

IPB14N03LA

Opis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB14N03LA G

IPB14N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB120N08S403ATMA1

IPB120N08S403ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB120P04P4L03ATMA1

IPB120P04P4L03ATMA1

Opis: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB140N08S404ATMA1

IPB140N08S404ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-7

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB12CN10N G

IPB12CN10N G

Opis: MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IPB144N12N3GATMA1

IPB144N12N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.