Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > LSIC1MO120E0080
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5245861LSIC1MO120E0080 image.Hamlin / Littelfuse

LSIC1MO120E0080

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$27.60
10+
$25.53
25+
$23.46
100+
$21.804
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    LSIC1MO120E0080
  • Proizvajalec / znamka
    Hamlin / Littelfuse
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    LSIC1MO120E0080.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 10mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Tehnologija
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-247-3
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 20A, 20V
  • Odmik moči (maks.)
    179W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-247-3
  • Druga imena
    F10335
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    29 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1825pF @ 800V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    95nC @ 20V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    20V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    1200V
  • natančen opis
    N-Channel 1200V 39A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    39A (Tc)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "LSIC1MO120E0080".
IPP80N04S3-04

IPP80N04S3-04

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IXFK120N30T

IXFK120N30T

Opis: MOSFET N-CH 300V 120A TO-264

Proizvajalci: IXYS Corporation
Na zalogi
RFQ
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

Opis: SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3

Proizvajalci: Hamlin / Littelfuse
Na zalogi
RFQ
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Proizvajalci: Hamlin / Littelfuse
Na zalogi
RFQ
NTD110N02RT4G

NTD110N02RT4G

Opis: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
NX3008NBK,215

NX3008NBK,215

Opis: MOSFET N-CH 30V TO-236AB

Proizvajalci: Nexperia
Na zalogi
RFQ
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Proizvajalci: Hamlin / Littelfuse
Na zalogi
RFQ
TK6A65W,S5X

TK6A65W,S5X

Opis: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
APTM50DAM19G

APTM50DAM19G

Opis: MOSFET N-CH 500V 163A SP6

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
SI8466EDB-T2-E1

SI8466EDB-T2-E1

Opis: MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Proizvajalci: Hamlin / Littelfuse
Na zalogi
RFQ
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Proizvajalci: Hamlin / Littelfuse
Na zalogi
RFQ
LSIC2SD120C05

LSIC2SD120C05

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252

Proizvajalci: Hamlin / Littelfuse
Na zalogi
RFQ
NTMFS4833NST3G

NTMFS4833NST3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
SI7478DP-T1-GE3

SI7478DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
AOI4T60P

AOI4T60P

Opis: MOSFET N-CH

Proizvajalci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na zalogi
RFQ
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Proizvajalci: Hamlin / Littelfuse
Na zalogi
RFQ
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Proizvajalci: Hamlin / Littelfuse
Na zalogi
RFQ
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

Opis: SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

Proizvajalci: Hamlin / Littelfuse
Na zalogi
RFQ
LSIC2SD120A05

LSIC2SD120A05

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220

Proizvajalci: Hamlin / Littelfuse
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.