Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - Posamezni > GPA025A120MN-ND
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1835937GPA025A120MN-ND image.Global Power Technologies Group

GPA025A120MN-ND

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
2500+
$1.729
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    GPA025A120MN-ND
  • Proizvajalec / znamka
    SemiQ
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    GPA025A120MN-ND.pdf
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 25A
  • Test Condition
    600V, 25A, 10 Ohm, 15V
  • Td (vklop / izklop) @ 25 ° C
    57ns/240ns
  • Preklop energije
    4.15mJ (on), 870µJ (off)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-3PN
  • Serija
    -
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    480ns
  • Moč - maks
    312W
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-3
  • Druga imena
    1560-1218-1
    1560-1218-1-ND
    1560-1218-5
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vrsta vnosa
    Standard
  • Vrsta IGBT
    NPT and Trench
  • Gate Charge
    350nC
  • natančen opis
    IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3PN
  • Trenutni - impulzni kolektor (Icm)
    75A
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    50A

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "GPA025A120MN-ND".
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Opis: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Opis: DIODE GPP 8A D2PAK

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
GPA802-BP

GPA802-BP

Opis: DIODE GPP 8A TO220AC

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
GPA802 C0G

GPA802 C0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Opis: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Proizvajalci: Bergquist
Na zalogi
RFQ
GPA801HC0G

GPA801HC0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
GPA801-BP

GPA801-BP

Opis: DIODE GPP 8A TO220AC

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

Opis: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

Opis: DIODE GPP 8A D2PAK

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Opis: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Opis: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GPA801 C0G

GPA801 C0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Opis: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GPA802HC0G

GPA802HC0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Opis: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

Opis: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

Opis: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

Opis: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

Opis: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Opis: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.