Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > GB50SLT12-247
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1504988GB50SLT12-247 image.GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$107.46
10+
$100.748
25+
$96.046
100+
$90.673
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    GB50SLT12-247
  • Proizvajalec / znamka
    GeneSiC Semiconductor
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    GB50SLT12-247.pdf
  • Voltage - Peak Reverse (Max)
    Silicon Carbide Schottky
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    50A
  • Napetost - razčlenitev
    TO-247AC
  • Serija
    -
  • RoHS Status
    Tube
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Odpornost @ Če, F
    2940pF @ 1V, 1MHz
  • Polarizacija
    TO-247-2
  • Druga imena
    1242-1179
    GB50SLT12247
  • Delovna temperatura - spoj
    0ns
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    18 Weeks
  • Številka izdelka proizvajalca
    GB50SLT12-247
  • Razširjen opis
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A Through Hole TO-247AC
  • Konfiguracija diode
    1mA @ 1200V
  • Opis
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1.8V @ 50A
  • Tok - Povprečna napetost (Io) (na diodo)
    1200V (1.2kV)
  • Capacitance @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "GB50SLT12-247".
SD103AWS-TP

SD103AWS-TP

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD323

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
S3K-E3/57T

S3K-E3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
ES1D-TP

ES1D-TP

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Proizvajalci: Micro Commercial Co
Na zalogi
RFQ
SB550A-E3/54

SB550A-E3/54

Opis: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SBR5E60P5-7D

SBR5E60P5-7D

Opis: DIODE SBR 60V 5A POWERDI5

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
VS-40HFR40M

VS-40HFR40M

Opis: DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
AU3PJHM3/86A

AU3PJHM3/86A

Opis: DIODE AVALANCHE 600V 1.7A TO277A

Proizvajalci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na zalogi
RFQ
RS3K V7G

RS3K V7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S3MB

S3MB

Opis: DIODE GP 1000V 3A SMB

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
SK310BE3/TR13

SK310BE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMB

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
FFPF15S60STU

FFPF15S60STU

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
AS3PKHM3_A/I

AS3PKHM3_A/I

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 2.1A TO277A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
1N4006G

1N4006G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
S15DLWHRVG

S15DLWHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.5A SOD123W

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F

Opis: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RS2MAHM2G

RS2MAHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
BYT51D-TR

BYT51D-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SR206HA0G

SR206HA0G

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO204AC

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
ESH2PBHE3/85A

ESH2PBHE3/85A

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
VS-1N3208R

VS-1N3208R

Opis: DIODE GEN PURP 50V 15A DO203AB

Proizvajalci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.