SQJ461EP-T1_GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

3000+

$1.475

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SQJ461EP-T1_GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET P-CH 60V 30A
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SQJ461EP-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® SO-8
Serija

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 14.4A, 10V
Odmik moči (maks.)

83W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

PowerPAK® SO-8
Druga imena

SQJ461EP-T1-GE3
SQJ461EP-T1-GE3-ND
SQJ461EP-T1_GE3TR
delovna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

4710pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V
Vrsta FET

P-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

60V
natančen opis

P-Channel 60V 30A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "SQJ461EP-T1_GE3".

SQJ464EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ474EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 26A POWERPAKSO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ446EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ457EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ469EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ444EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ479EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 80V 32A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ443EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ486EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ463EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 30A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ481EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 80V POWERPAK SO-8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ465EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ460AEP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ456EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ459EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ431EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 200V SO8L

Proizvajalci: Vishay Siliconix

Na zalogi

RFQ

SQJ476EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 23A POWERPAKSO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ454EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 13A POWERPAKSO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ488EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ433EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 75A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SQJ461EP-T1_GE3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

SQJ464EP-T1_GE3

SQJ474EP-T1_GE3

SQJ446EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3

SQJ469EP-T1_GE3

SQJ444EP-T1_GE3

SQJ479EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3

SQJ486EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1_GE3

SQJ481EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1_GE3

SQJ460AEP-T1_GE3

SQJ456EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3

SQJ431EP-T1_GE3

SQJ476EP-T1_GE3

SQJ454EP-T1_GE3

SQJ488EP-T1_GE3

SQJ433EP-T1_GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik