Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIHB33N60E-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5326616SIHB33N60E-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHB33N60E-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$7.15
10+
$6.383
100+
$5.234
500+
$4.238
1000+
$3.574
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIHB33N60E-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIHB33N60E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    D2PAK
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    99 mOhm @ 16.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    278W (Tc)
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Druga imena
    SIHB33N60EGE3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    3508pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    600V
  • natančen opis
    N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    33A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIHB33N60E-GE3".
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB6N65E-GE3

SIHB6N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB24N65E-E3

SIHB24N65E-E3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB24N65EF-GE3

SIHB24N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB33N60ET1-GE3

SIHB33N60ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB30N60E-E3

SIHB30N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB24N65E-GE3

SIHB24N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB25N50E-GE3

SIHB25N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB30N60E-GE3

SIHB30N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB24N65ET1-GE3

SIHB24N65ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB33N60ET5-GE3

SIHB33N60ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.