Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIHA6N80E-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3434868SIHA6N80E-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHA6N80E-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$2.88
10+
$2.605
100+
$2.093
500+
$1.628
1000+
$1.349
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIHA6N80E-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIHA6N80E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-220 Full Pack
  • Serija
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    940 mOhm @ 3A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    31W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-220-3 Full Pack
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    827pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    800V
  • natančen opis
    N-Channel 800V 5.4A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    5.4A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIHA6N80E-GE3".
SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHA2N80E-GE3

SIHA2N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHA24N65EF-E3

SIHA24N65EF-E3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB12N60ET1-GE3

SIHB12N60ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHA25N50E-E3

SIHA25N50E-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-220FP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHA25N60EFL-E3

SIHA25N60EFL-E3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHA22N60EL-E3

SIHA22N60EL-E3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHA4N80E-GE3

SIHA4N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB10N40D-GE3

SIHB10N40D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 400V 10A DPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB12N50E-GE3

SIHB12N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FULLPA

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB15N50E-GE3

SIHB15N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHA22N60E-E3

SIHA22N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO-220

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB15N60E-GE3

SIHB15N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A DPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Proizvajalci: Vishay Siliconix
Na zalogi
RFQ
SIHA240N60E-GE3

SIHA240N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHA6N65E-E3

SIHA6N65E-E3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB12N50C-E3

SIHB12N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.