Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > SI9926CDY-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6613326

SI9926CDY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$1.05
10+
$0.926
100+
$0.732
500+
$0.568
1000+
$0.448
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI9926CDY-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI9926CDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 8.3A, 4.5V
  • Moč - maks
    3.1W
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    SI9926CDY-T1-GE3CT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    27 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1200pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • Vrsta FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Funkcija FET
    Logic Level Gate
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    20V
  • natančen opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Številka osnovnega dela
    SI9926

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI9926CDY-T1-GE3".
SI9936BDY-T1-E3

SI9936BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9913DY-T1-E3

SI9913DY-T1-E3

Opis: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9910DY-E3

SI9910DY-E3

Opis: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9945AEY-T1

SI9945AEY-T1

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9912DY-E3

SI9912DY-E3

Opis: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9936BDY-T1-GE3

SI9936BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9910DJ-E3

SI9910DJ-E3

Opis: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9926BDY-T1-GE3

SI9926BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9933BDY-T1-E3

SI9933BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9910DY-T1-E3

SI9910DY-T1-E3

Opis: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9731DQ-T1-E3

SI9731DQ-T1-E3

Opis: IC CONTROLLER LIION 4.1V 16TSSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9912DY-T1-E3

SI9912DY-T1-E3

Opis: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9934BDY-T1-E3

SI9934BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI9936DY

SI9936DY

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
SI9936DY,518

SI9936DY,518

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1

Proizvajalci: NXP Semiconductors / Freescale
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.