Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI7794DP-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5591305SI7794DP-T1-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7794DP-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI7794DP-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI7794DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    PowerPAK® SO-8
  • Serija
    SkyFET®, TrenchFET® Gen III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 mOhm @ 20A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    5W (Ta), 48W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    PowerPAK® SO-8
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    2.52nF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    Schottky Diode (Body)
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    N-Channel 30V 28.6A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    28.6A (Ta), 60A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI7794DP-T1-GE3".
SI7804DN-T1-E3

SI7804DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7790DP-T1-GE3

SI7790DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7774DP-T1-GE3

SI7774DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7812DN-T1-GE3

SI7812DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7738DP-T1-GE3

SI7738DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7784DP-T1-GE3

SI7784DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7802DN-T1-E3

SI7802DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7748DP-T1-GE3

SI7748DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7812DN-T1-E3

SI7812DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7806ADN-T1-E3

SI7806ADN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7802DN-T1-GE3

SI7802DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7792DP-T1-GE3

SI7792DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7804DN-T1-GE3

SI7804DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.