Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > SI4966DY-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
274054

SI4966DY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI4966DY-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI4966DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
  • Moč - maks
    2W
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 4.5V
  • Vrsta FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Funkcija FET
    Logic Level Gate
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    20V
  • natančen opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    -
  • Številka osnovnega dela
    SI4966

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI4966DY-T1-GE3".
SI4992EY-T1-E3

SI4992EY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4967DY-T1-E3

SI4967DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4953ADY-T1-E3

SI4953ADY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4952DY-T1-E3

SI4952DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4992EY-T1-GE3

SI4992EY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4973DY-T1-GE3

SI4973DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4966DY-T1-E3

SI4966DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4963BDY-T1-E3

SI4963BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4974DY-T1-E3

SI4974DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4972DY-T1-GE3

SI4972DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4953ADY-T1-GE3

SI4953ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4972DY-T1-E3

SI4972DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4965DY-T1-E3

SI4965DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4973DY-T1-E3

SI4973DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4965DY-T1-GE3

SI4965DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.