Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI4660DY-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6531775

SI4660DY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI4660DY-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI4660DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    SI4660DY-T1-GE3TR
    SI4660DYT1GE3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    2410pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    25V
  • natančen opis
    N-Channel 25V 23.1A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    23.1A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI4660DY-T1-GE3".
SI4682-A10-GMR

SI4682-A10-GMR

Opis: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4636DY-T1-GE3

SI4636DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4682-A10-GM

SI4682-A10-GM

Opis: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4660DY-T1-E3

SI4660DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4646DY-T1-E3

SI4646DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4682DY-T1-GE3

SI4682DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4682DY-T1-E3

SI4682DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4646DY-T1-GE3

SI4646DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4668DY-T1-GE3

SI4668DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4642DY-T1-E3

SI4642DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4638DY-T1-E3

SI4638DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4636DY-T1-E3

SI4636DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4682-A10-GDR

SI4682-A10-GDR

Opis: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4650DY-T1-E3

SI4650DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4654DY-T1-E3

SI4654DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.