SI4455DY-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

2500+

$1.04

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI4455DY-T1-E3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI4455DY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

8-SO
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

295 mOhm @ 4A, 10V
Odmik moči (maks.)

3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Druga imena

SI4455DY-T1-E3-ND
SI4455DY-T1-E3TR
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

33 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V
Vrsta FET

P-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

150V
natančen opis

P-Channel 150V 2.8A (Tc) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

2.8A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "SI4455DY-T1-E3".

SI4455-C2A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4451DY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4451DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4455-B1A-FM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4459ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4459BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4456DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4448DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4455-B1A-FMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4460-B1B-FM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4460-B0B-FM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4453DY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4460-C2A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4448DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4460-C2A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4455DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4456DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4460-B1B-FMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4455-C2A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4453DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SI4455DY-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

SI4455-C2A-GMR

SI4451DY-T1-E3

SI4451DY-T1-GE3

SI4455-B1A-FM

SI4459ADY-T1-GE3

SI4459BDY-T1-GE3

SI4456DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-E3

SI4455-B1A-FMR

SI4460-B1B-FM

SI4460-B0B-FM

SI4453DY-T1-E3

SI4460-C2A-GMR

SI4448DY-T1-GE3

SI4460-C2A-GM

SI4455DY-T1-GE3

SI4456DY-T1-E3

SI4460-B1B-FMR

SI4455-C2A-GM

SI4453DY-T1-GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik