Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI4116DY-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5978576

SI4116DY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$1.32
10+
$1.171
100+
$0.926
500+
$0.718
1000+
$0.567
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI4116DY-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI4116DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.6 mOhm @ 10A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    SI4116DY-T1-GE3CT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1925pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    2.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    25V
  • natančen opis
    N-Channel 25V 18A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI4116DY-T1-GE3".
SI4122-EVB

SI4122-EVB

Opis: BOARD EVALUATION FOR SI4122

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4122DY-T1-GE3

SI4122DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4114G-B-GM

SI4114G-B-GM

Opis: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4123-BT

SI4123-BT

Opis: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4114DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4114DY-T1-E3

SI4114DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4113-EVB

SI4113-EVB

Opis: BOARD EVALUATION FOR SI4113

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4122-D-GMR

SI4122-D-GMR

Opis: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4115G-BM

SI4115G-BM

Opis: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4122M-EVB

SI4122M-EVB

Opis: BOARD EVALUATION FOR SI4122

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4113-D-ZT1

SI4113-D-ZT1

Opis: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4114G-BM

SI4114G-BM

Opis: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4123-BM

SI4123-BM

Opis: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4114GM-EVB

SI4114GM-EVB

Opis: BOARD EVAL SI4114G-BM

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4122-D-GM

SI4122-D-GM

Opis: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4122-BT

SI4122-BT

Opis: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4122-D-GTR

SI4122-D-GTR

Opis: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4122-D-GT

SI4122-D-GT

Opis: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4113M-EVB

SI4113M-EVB

Opis: BOARD EVALUATION FOR SI4113

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.