Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI4100DY-T1-E3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5782371

SI4100DY-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$1.58
10+
$1.395
100+
$1.103
500+
$0.855
1000+
$0.675
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI4100DY-T1-E3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI4100DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    63 mOhm @ 4.4A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    2.5W (Ta), 6W (Tc)
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    SI4100DY-T1-E3CT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    33 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    600pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    6V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    100V
  • natančen opis
    N-Channel 100V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    6.8A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI4100DY-T1-E3".
SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4063-B1B-FMR

SI4063-B1B-FMR

Opis: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4063-C2A-GM

SI4063-C2A-GM

Opis: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4110DY-T1-GE3

SI4110DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4063-B1B-FM

SI4063-B1B-FM

Opis: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4063-B0B-FM

SI4063-B0B-FM

Opis: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4062DY-T1-GE3

SI4062DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4063-C2A-GMR

SI4063-C2A-GMR

Opis: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4060-C2A-GM

SI4060-C2A-GM

Opis: EZ RADIO PRO SUB GHZ TRANSMITTER

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4102DY-T1-E3

SI4102DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4104DY-T1-GE3

SI4104DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4060-C2A-GMR

SI4060-C2A-GMR

Opis: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4112-BM

SI4112-BM

Opis: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4060-B1B-FMR

SI4060-B1B-FMR

Opis: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.