SI3464DV-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

3000+

$0.241

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI3464DV-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI3464DV-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

6-TSOP
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Odmik moči (maks.)

2W (Ta), 3.6W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Druga imena

SI3464DV-T1-GE3TR
SI3464DVT1GE3
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

27 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

1065pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

1.8V, 4.5V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

20V
natančen opis

N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "SI3464DV-T1-GE3".

SI3473DDV-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI3462-EVB

Opis: BOARD EVAL POE PSE SGL PORT

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI3469DV-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI3469DV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI3460DDV-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI3461-E02-GM

Opis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI3465DV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI3467DV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI3465DV-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI3461-E01-GM

Opis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI3467DV-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI3462-E01-GM

Opis: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI3460DV-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI3473DV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI3460DV-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI3473CDV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI3462-E01-GMR

Opis: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI3461-KIT

Opis: BOARD EVAL FOR SI3461

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI3473CDV-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI3461-E01-GMR

Opis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SI3464DV-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

SI3473DDV-T1-GE3

SI3462-EVB

SI3469DV-T1-GE3

SI3469DV-T1-E3

SI3460DDV-T1-GE3

SI3461-E02-GM

SI3465DV-T1-E3

SI3467DV-T1-E3

SI3465DV-T1-GE3

SI3461-E01-GM

SI3467DV-T1-GE3

SI3462-E01-GM

SI3460DV-T1-E3

SI3473DV-T1-E3

SI3460DV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-E3

SI3462-E01-GMR

SI3461-KIT

SI3473CDV-T1-GE3

SI3461-E01-GMR

Izberi jezik

Trenutni jezik