Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI2324DS-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2595977

SI2324DS-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$0.25
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI2324DS-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI2324DS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.9V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    234 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Druga imena
    SI2324DS-T1-GE3-ND
    SI2324DS-T1-GE3TR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    190pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.4nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    100V
  • natančen opis
    N-Channel 100V 2.3A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    2.3A (Tc)

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

2024/11/25

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI2324DS-T1-GE3".
SI2323CDS-T1-GE3

SI2323CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2328DS-T1-GE3

SI2328DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2321DS-T1-E3

SI2321DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2331DS-T1-E3

SI2331DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2323DS-T1

SI2323DS-T1

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2319DS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2328DS-T1-E3

SI2328DS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2327DS-T1-GE3

SI2327DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2329DS-T1-GE3

SI2329DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2325DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2321-TP

SI2321-TP

Opis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2333-TP

SI2333-TP

Opis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
SI2327DS-T1-E3

SI2327DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2325DS-T1-GE3

SI2325DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2331DS-T1-GE3

SI2331DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.