Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > ZXMN3A06DN8TA
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2186947ZXMN3A06DN8TA image.Diodes Incorporated

ZXMN3A06DN8TA

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$1.37
10+
$1.212
100+
$0.958
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    ZXMN3A06DN8TA
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    ZXMN3A06DN8TA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 9A, 10V
  • Moč - maks
    1.8W
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    ZXMN3A06DN8CT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    33 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    796pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17.5nC @ 10V
  • Vrsta FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Funkcija FET
    Logic Level Gate
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    4.9A

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "ZXMN3A06DN8TA".
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3A06N8TA

ZXMN3A06N8TA

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Opis: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3B01FTA

ZXMN3B01FTA

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Opis: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.