Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > DMT6012LSS-13
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
779966

DMT6012LSS-13

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMT6012LSS-13
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V8SOIC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 10A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    1.2W (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1522pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22.2nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    60V
  • natančen opis
    N-Channel 60V 10.4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    10.4A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMT6012LSS-13".
DMT6010SCT

DMT6010SCT

Opis: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6010LSS-13

DMT6010LSS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6017LSS-13

DMT6017LSS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Opis: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6015LFV-13

DMT6015LFV-13

Opis: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 11A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6016LFDF-13

DMT6016LFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6015LSS-13

DMT6015LSS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.