Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > DMNH10H028SCT
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3398844

DMNH10H028SCT

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$1.69
50+
$1.352
100+
$1.183
500+
$0.918
1000+
$0.725
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMNH10H028SCT
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje skladno s svinecem / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMNH10H028SCT.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-220AB
  • Serija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 20A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    2.8W (Ta)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-220-3
  • Druga imena
    DMNH10H028SCTDI-5
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    16 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1942pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31.9nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    100V
  • natančen opis
    N-Channel 100V 60A (Tc) 2.8W (Ta) Through Hole TO-220AB
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMNH10H028SCT".
DMNG1-63FL-3K

DMNG1-63FL-3K

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
DMNFR1485FIB-KD

DMNFR1485FIB-KD

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
DMNH4005SCT

DMNH4005SCT

Opis: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMNH10H028SPS-13

DMNH10H028SPS-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMNF2-63FIB-C

DMNF2-63FIB-C

Opis: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
DMNFR163FIB-KD

DMNFR163FIB-KD

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMNH4005SCTQ

DMNH4005SCTQ

Opis: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMNH4005SPSQ-13

DMNH4005SPSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMNH4006SK3Q-13

DMNH4006SK3Q-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 20A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMNF2-488FIB-C

DMNF2-488FIB-C

Opis: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
DMNH3010LK3-13

DMNH3010LK3-13

Opis: MOSFET NCH 30V 15A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMNF6-63M-L

DMNF6-63M-L

Opis: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
DMNF2-63FIBX-2K

DMNF2-63FIBX-2K

Opis: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
DMNF2-63-C

DMNF2-63-C

Opis: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
DMNH4006SK3-13

DMNH4006SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 18A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMNF6-63FIB-2K

DMNF6-63FIB-2K

Opis: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
DMNFR263FIB-KD

DMNFR263FIB-KD

Opis: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
DMNH10H028SPSQ-13

DMNH10H028SPSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.