Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > DMN80H2D0SCTI
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3254411DMN80H2D0SCTI image.Diodes Incorporated

DMN80H2D0SCTI

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
50+
$1.449
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMN80H2D0SCTI
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje skladno s svinecem / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMN80H2D0SCTI.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    ITO-220AB
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    41W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    33 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1253pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    35.4nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    800V
  • natančen opis
    N-Channel 800V 7A (Tc) 41W (Tc) Through Hole ITO-220AB
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMN80H2D0SCTI".
DMNF1-285FIB-C

DMNF1-285FIB-C

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN95H2D2HCTI

DMN95H2D2HCTI

Opis: MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMNF1-285FIB-3K

DMNF1-285FIB-3K

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMNF1-285-C

DMNF1-285-C

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
DMN95H8D5HCTI

DMN95H8D5HCTI

Opis: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN95H8D5HCT

DMN95H8D5HCT

Opis: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Opis: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Opis: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Opis: MOSFET N-CH 60V SOT323

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

Opis: MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Opis: MOSFET N-CH 60V SOT323

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMNF1-288-C

DMNF1-288-C

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.