Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > DMN33D8LDW-13
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1935697DMN33D8LDW-13 image.Diodes Incorporated

DMN33D8LDW-13

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
10000+
$0.067
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMN33D8LDW-13
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMN33D8LDW-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 100µA
  • Paket naprave za dobavitelja
    SOT-363
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.4 Ohm @ 250mA, 10V
  • Moč - maks
    350mW
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    24 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    48pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.23nC @ 10V
  • Vrsta FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Funkcija FET
    Standard
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 250mA 350mW Surface Mount SOT-363
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    250mA

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMN33D8LDW-13".
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3730UFB-7

DMN3730UFB-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Opis: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3730U-7

DMN3730U-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.