Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > DMN3190LDW-13
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4526767DMN3190LDW-13 image.Diodes Incorporated

DMN3190LDW-13

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$0.59
10+
$0.426
100+
$0.251
500+
$0.142
1000+
$0.109
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMN3190LDW-13
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMN3190LDW-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Paket naprave za dobavitelja
    SOT-363
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 1.3A, 10V
  • Moč - maks
    320mW
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Druga imena
    DMN3190LDW-13DICT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    32 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    87pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2nC @ 10V
  • Vrsta FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Funkcija FET
    Logic Level Gate
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    1A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMN3190LDW-13".
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Opis: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Opis: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Opis: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.