Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > DMN3032LFDBQ-13
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4146764DMN3032LFDBQ-13 image.Diodes Incorporated

DMN3032LFDBQ-13

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
10000+
$0.171
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMN3032LFDBQ-13
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMN3032LFDBQ-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Paket naprave za dobavitelja
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • Serija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Moč - maks
    1W
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    6-UDFN Exposed Pad
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    16 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    500pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.6nC @ 10V
  • Vrsta FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Funkcija FET
    Standard
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A (Ta) 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    6.2A (Ta)

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

2024/11/25

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMN3032LFDBQ-13".
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Opis: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3026LVTQ-7

DMN3026LVTQ-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3042L-13

DMN3042L-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3033LDM-7

DMN3033LDM-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3031LSS-13

DMN3031LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3033LSNQ-13

DMN3033LSNQ-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.