Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > DMN1150UFL3-7
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2470194DMN1150UFL3-7 image.Diodes Incorporated

DMN1150UFL3-7

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$0.094
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMN1150UFL3-7
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMN1150UFL3-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Paket naprave za dobavitelja
    X2-DFN1310-6
  • Serija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Moč - maks
    390mW
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    6-XFDFN
  • Druga imena
    DMN1150UFL3-7DITR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    16 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    115pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.4nC @ 4.5V
  • Vrsta FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Funkcija FET
    Standard
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    12V
  • natančen opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 2A 390mW Surface Mount X2-DFN1310-6
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    2A

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMN1150UFL3-7".
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7

Opis: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

Opis: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13

Opis: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

Opis: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B

Opis: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN15H310SK3-13

DMN15H310SK3-13

Opis: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

Opis: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN13H750S-13

DMN13H750S-13

Opis: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.