Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > DMG6601LVT-7
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1709037DMG6601LVT-7 image.Diodes Incorporated

DMG6601LVT-7

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$0.093
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMG6601LVT-7
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMG6601LVT-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Paket naprave za dobavitelja
    TSOT-26
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 3.4A, 10V
  • Moč - maks
    850mW
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Druga imena
    DMG6601LVT-7DITR
    DMG6601LVT7
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    32 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    422pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.3nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N and P-Channel
  • Funkcija FET
    Logic Level Gate
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    3.8A, 2.5A
  • Številka osnovnega dela
    DMG6601

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMG6601LVT-7".
DMG564060R

DMG564060R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Proizvajalci: Panasonic
Na zalogi
RFQ
DMG6301UDW-7

DMG6301UDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7

Opis: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG564H30R

DMG564H30R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Proizvajalci: Panasonic
Na zalogi
RFQ
DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

Opis: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG6602SVTQ-7

DMG6602SVTQ-7

Opis: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG6968LSD-13

DMG6968LSD-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG5640N0R

DMG5640N0R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Proizvajalci: Panasonic
Na zalogi
RFQ
DMG564H20R

DMG564H20R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Proizvajalci: Panasonic
Na zalogi
RFQ
DMG564050R

DMG564050R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Proizvajalci: Panasonic
Na zalogi
RFQ
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG6968U-7

DMG6968U-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG7401SFG-13

DMG7401SFG-13

Opis: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG6301UDW-13

DMG6301UDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.