Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > DMG4N60SJ3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4640702

DMG4N60SJ3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
75+
$0.692
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMG4N60SJ3
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET NCH 600V 3A TO251
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje skladno s svinecem / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMG4N60SJ3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-251
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 Ohm @ 2A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    41W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    30 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    532pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14.3nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    600V
  • natančen opis
    N-Channel 600V 3A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMG4N60SJ3".
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Opis: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG563H50R

DMG563H50R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Proizvajalci: Panasonic
Na zalogi
RFQ
DMG504010R

DMG504010R

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Proizvajalci: Panasonic
Na zalogi
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Opis: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG563020R

DMG563020R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Proizvajalci: Panasonic
Na zalogi
RFQ
DMG563H10R

DMG563H10R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Proizvajalci: Panasonic
Na zalogi
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Opis: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG564010R

DMG564010R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Proizvajalci: Panasonic
Na zalogi
RFQ
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Opis: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG563010R

DMG563010R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Proizvajalci: Panasonic
Na zalogi
RFQ
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Opis: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMG563H40R

DMG563H40R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Proizvajalci: Panasonic
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.