Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - RF > NE3516S02-T1C-A
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4134662NE3516S02-T1C-A image.CEL (California Eastern Laboratories)

NE3516S02-T1C-A

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    NE3516S02-T1C-A
  • Proizvajalec / znamka
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    NE3516S02-T1C-A.pdf
  • Napetost - preskus
    2V
  • Napetost - ocenjena
    4V
  • Vrsta tranzistorja
    N-Channel GaAs HJ-FET
  • Paket naprave za dobavitelja
    S02
  • Serija
    -
  • Moč - izhod
    165mW
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    4-SMD, Flat Leads
  • Slika hrupa
    0.35dB
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gain
    14dB
  • Pogostost
    12GHz
  • natančen opis
    RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02
  • Trenutna ocena
    60mA
  • Tok - preskus
    10mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "NE3516S02-T1C-A".
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

Opis: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
NE3X2WH6

NE3X2WH6

Opis: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
NE3516S02-A

NE3516S02-A

Opis: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
NE3514S02-A

NE3514S02-A

Opis: HJ-FET NCH 10DB S02

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
NE3513M04-A

NE3513M04-A

Opis: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
NE3521M04-T2-A

NE3521M04-T2-A

Opis: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
NE3520S03-T1C-A

NE3520S03-T1C-A

Opis: FET RF 4V 20GHZ S03

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
NE3X1WH6-A

NE3X1WH6-A

Opis: WIRE DUCT SLOTTED ADH SCRW WT 6'

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
NE3515S02-A

NE3515S02-A

Opis: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Opis: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Opis: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
NE3520S03-A

NE3520S03-A

Opis: FET RF 4V 20GHZ S03

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
NE3X1WH6

NE3X1WH6

Opis: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
NE3517S03-T1C-A

NE3517S03-T1C-A

Opis: FET RF 4V 20GHZ S03

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

Opis: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Opis: HJ-FET NCH 10DB S02

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

Opis: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
NE3X3WH6-A

NE3X3WH6-A

Opis: WIRE DUCT SLOTTED ADH SCRW WT 6'

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
NE3X3WH6

NE3X3WH6

Opis: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Proizvajalci: Panduit
Na zalogi
RFQ
NE3521M04-A

NE3521M04-A

Opis: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Proizvajalci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.