Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > MVB50P03HDLT4G
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1391812

MVB50P03HDLT4G

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    MVB50P03HDLT4G
  • Proizvajalec / znamka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    INTEGRATED CIRCUIT
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    MVB50P03HDLT4G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    D2PAK-3
  • Serija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 25A, 5V
  • Odmik moči (maks.)
    125W (Tc)
  • Paket / primer
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    4.9nF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100nC @ 5V
  • Vrsta FET
    P-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    P-Channel 30V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

2024/11/25

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "MVB50P03HDLT4G".
FDD390N15ALZ

FDD390N15ALZ

Opis: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
FQI6N60CTU

FQI6N60CTU

Opis: MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
IXTK60N50L2

IXTK60N50L2

Opis: MOSFET N-CH 500V 60A TO-264

Proizvajalci: IXYS Corporation
Na zalogi
RFQ
IRFI644G

IRFI644G

Opis: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
NTMFS4C06NT3G

NTMFS4C06NT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
NTMFS4897NFT3G

NTMFS4897NFT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V SO-8FL

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
NTD4810NH-35G

NTD4810NH-35G

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
BSP179H6327XTSA1

BSP179H6327XTSA1

Opis: MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
SPP21N50C3HKSA1

SPP21N50C3HKSA1

Opis: MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IXFJ20N85X

IXFJ20N85X

Opis: MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

Proizvajalci: IXYS Corporation
Na zalogi
RFQ
STP180N55F3

STP180N55F3

Opis: MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

Proizvajalci: STMicroelectronics
Na zalogi
RFQ
SI2325DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BUZ73AE3046XK

BUZ73AE3046XK

Opis: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
IRL1104S

IRL1104S

Opis: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Opis: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M012A060H

GP1M012A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
IRFD320

IRFD320

Opis: MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.