Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > FDB0165N807L
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
451084FDB0165N807L image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB0165N807L

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$7.16
10+
$6.393
100+
$5.242
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    FDB0165N807L
  • Proizvajalec / znamka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 80V 310A TO263
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    FDB0165N807L.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    D²PAK (TO-263)
  • Serija
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6 mOhm @ 36A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    3.8W (Ta), 300W (Tc)
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Druga imena
    FDB0165N807LCT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    39 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    23660pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    304nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    80V
  • natančen opis
    N-Channel 80V 310A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    310A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "FDB0165N807L".
FDB0260N1007L

FDB0260N1007L

Opis: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
FDB-1048

FDB-1048

Opis: WAVELENGTH TUNING BOX

Proizvajalci: Finisar Corporation
Na zalogi
RFQ
FDB029N06

FDB029N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
FDB024N04AL7

FDB024N04AL7

Opis: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
FDB-GP

FDB-GP

Opis: CONN GUIDE PLATE

Proizvajalci: Hirose
Na zalogi
RFQ
FDB-1052

FDB-1052

Opis: EVAL BRD TUNABLE SFP+.

Proizvajalci: Finisar Corporation
Na zalogi
RFQ
FDB-1053-10BK-EL

FDB-1053-10BK-EL

Opis: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD

Proizvajalci: Finisar Corporation
Na zalogi
RFQ
FDB-1047-S

FDB-1047-S

Opis: BOARD EVAL ENDURANCE SOLDER

Proizvajalci: Finisar Corporation
Na zalogi
RFQ
FDB0170N607L

FDB0170N607L

Opis: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
FDB0300N1007L

FDB0300N1007L

Opis: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
FDB0105N407L

FDB0105N407L

Opis: MOSFET N-CH 40V 460A

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
FDB-S

FDB-S

Opis: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Proizvajalci: Hirose
Na zalogi
RFQ
FDB024N06

FDB024N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
FDB0250N807L

FDB0250N807L

Opis: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
FDB016N04AL7

FDB016N04AL7

Opis: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
FDB0190N807L

FDB0190N807L

Opis: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
FDB-1054-4BK

FDB-1054-4BK

Opis: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL

Proizvajalci: Finisar Corporation
Na zalogi
RFQ
FDB-1051

FDB-1051

Opis: EVAL BOARD FOR QSFP

Proizvajalci: Finisar Corporation
Na zalogi
RFQ
FDB024N08BL7

FDB024N08BL7

Opis: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
FDB-P

FDB-P

Opis: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

Proizvajalci: Hirose
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.