FCP190N60E

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

$3.38

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

FCP190N60E
Proizvajalec / znamka

AMI Semiconductor/onsemi
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 600V TO220-3
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

FCP190N60E.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

TO-220
Serija

SuperFET® II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 10A, 10V
Odmik moči (maks.)

208W (Tc)
Pakiranje

Tube
Paket / primer

TO-220-3
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Through Hole
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

52 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

3175pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

600V
natančen opis

N-Channel 600V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

20.6A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "FCP190N60E".

FCP1913H473G-E1

Opis: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics

Na zalogi

RFQ

FCP190N60-GF102

Opis: MOSFET N-CH 600V TO-220-3

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FCP15710_FLORENTINA-4X1-MRK-W

Opis: LENS W/ HOLDER CLEAR WIDE SCREW

Proizvajalci: LEDiL

Na zalogi

RFQ

FCP170N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 22A TO220

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FCP1913H473G

Opis: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics

Na zalogi

RFQ

FCP16N60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FCP16N60N-F102

Opis: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FCP1913H104J-E3

Opis: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics

Na zalogi

RFQ

FCP16N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FCP1913H104J-E2

Opis: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics

Na zalogi

RFQ

FCP190N65S3R0

Opis: MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

FCP190N60E

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

What is an embedded system?

FCP1913H473G-E1

FCP190N60-GF102

FCP15710_FLORENTINA-4X1-MRK-W

FCP170N60

FCP1913H473G

FCP16N60N

FCP16N60N-F102

FCP1913H104J-E3

FCP16N60

FCP1913H104J-E2

FCP190N65S3R0

FCP190N65F

FCP165N65S3R0

FCP1913H104G

FCP165N60E

FCP1913H104G-E2

FCP190N65S3

FCP165N65S3

FCP1913H104G-E3

FCP190N60

Izberi jezik

Trenutni jezik