Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > BVSS123LT1G
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6946695BVSS123LT1G image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BVSS123LT1G

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$0.076
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    BVSS123LT1G
  • Proizvajalec / znamka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    BVSS123LT1G.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    SOT-23-3
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 Ohm @ 100mA, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    225mW (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Druga imena
    BVSS123LT1G-ND
    BVSS123LT1GOSTR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    40 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    20pF @ 25V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    100V
  • natančen opis
    N-Channel 100V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    170mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "BVSS123LT1G".
IRF2804

IRF2804

Opis: MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
SI3400A-TP

SI3400A-TP

Opis: N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
STB34N50DM2AG

STB34N50DM2AG

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A

Proizvajalci: STMicroelectronics
Na zalogi
RFQ
IXFX210N30X3

IXFX210N30X3

Opis: 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Proizvajalci: IXYS Corporation
Na zalogi
RFQ
CPH3455-TL-H

CPH3455-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 35V 3A CPH3

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BVSS84LT1G

BVSS84LT1G

Opis: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
IRF9510L

IRF9510L

Opis: MOSFET P-CH 100V 4A TO-262

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BVSD-2032-SM

BVSD-2032-SM

Opis: VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT

Proizvajalci: MPD (Memory Protection Devices)
Na zalogi
RFQ
BVSD-2032-PC

BVSD-2032-PC

Opis: VERT SNAP DRAGON CR2032 PC PIN

Proizvajalci: MPD (Memory Protection Devices)
Na zalogi
RFQ
IXFB90N85X

IXFB90N85X

Opis: 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

Proizvajalci: IXYS Corporation
Na zalogi
RFQ
VMO550-01F

VMO550-01F

Opis: MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB

Proizvajalci: IXYS Corporation
Na zalogi
RFQ
IRF7483MTRPBF

IRF7483MTRPBF

Opis: MOSFET N-CH 40V 135A

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
FQP3N25

FQP3N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
IRFR024TRL

IRFR024TRL

Opis: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BVSS138LT1G

BVSS138LT1G

Opis: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
STF13NM60N-H

STF13NM60N-H

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP

Proizvajalci: STMicroelectronics
Na zalogi
RFQ
IRFR13N20DCPBF

IRFR13N20DCPBF

Opis: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
STP2N95K5

STP2N95K5

Opis: MOSFET N-CH 950V 2A TO220

Proizvajalci: STMicroelectronics
Na zalogi
RFQ
BVSD-2032-COVER

BVSD-2032-COVER

Opis: COVER FOR VERT SNAP DRAGON HLDR

Proizvajalci: MPD (Memory Protection Devices)
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.