Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > 3LN01C-TB-E
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
44479683LN01C-TB-E image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LN01C-TB-E

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    3LN01C-TB-E
  • Proizvajalec / znamka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    3LN01C-TB-E.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    3-CP
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7 Ohm @ 80mA, 4V
  • Odmik moči (maks.)
    250mW (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Druga imena
    3LN01C-TB-E-ND
    3LN01C-TB-EOSTR
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    7pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.58nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    1.5V, 4V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    N-Channel 30V 150mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    150mA (Ta)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "3LN01C-TB-E".
3LN01S-K-TL-E

3LN01S-K-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
IPD320N20N3GBTMA1

IPD320N20N3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
3LN01M-TL-E

3LN01M-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
STI100N10F7

STI100N10F7

Opis: MOSFET

Proizvajalci: STMicroelectronics
Na zalogi
RFQ
IRF7240PBF

IRF7240PBF

Opis: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
3LN01SS-TL-E

3LN01SS-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
TPCA8055-H,LQ(M

TPCA8055-H,LQ(M

Opis: MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP-ADV

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
DMP6050SPS-13

DMP6050SPS-13

Opis: MOSFETP-CH 60VPOWERDI5060-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
IPB60R199CPATMA1

IPB60R199CPATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 16A TO-263

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
FK3906010L

FK3906010L

Opis: MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3

Proizvajalci: Panasonic
Na zalogi
RFQ
FCPF190N65S3R0L

FCPF190N65S3R0L

Opis: SUPERFET3 650V TO220F PKG

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
BUK9Y41-80E,115

BUK9Y41-80E,115

Opis: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK

Proizvajalci: Nexperia
Na zalogi
RFQ
CSD18511KTTT

CSD18511KTTT

Opis: 40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS

Proizvajalci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na zalogi
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
3LN01M-TL-H

3LN01M-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 30V 150MA MCP

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
3LN01SS-TL-H

3LN01SS-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
3LN01S-TL-E

3LN01S-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
SI8424DB-T1-E1

SI8424DB-T1-E1

Opis: MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
3LN01C-TB-H

3LN01C-TB-H

Opis: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.